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氧化銦錫光電應(yīng)用納米級分散機(jī)

氧化銦錫光電應(yīng)用納米級分散機(jī)具有精細(xì)度遞升的三級鋸齒突起和凹槽。定子可以無限制的被調(diào)整到所需要的轉(zhuǎn)子之間距離。在增強(qiáng)的流體湍流下。凹槽在每級口可以改變方向。

  • 產(chǎn)品型號:XMD2000
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間:2023-11-12
  • 訪  問  量:2803
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詳細(xì)介紹

氧化銦錫光電應(yīng)用納米級分散機(jī)

ITO導(dǎo)電漿料納米均質(zhì)機(jī),ito納米均質(zhì)機(jī),是在定、轉(zhuǎn)子狹窄的間隙中受到強(qiáng)烈的機(jī)械及液力剪切、離心擠壓、液層摩擦、撞擊撕裂和湍流等綜合作用,形成懸浮液(固/液)

ito ITO 是一種N型氧化物半導(dǎo)體-氧化銦錫,ITO薄膜即銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜,通常有兩個(gè)性能指標(biāo):電阻率和透光率作為納米銦錫金屬氧化物,具有很好的導(dǎo)電性和透明性,可以切斷對人體有害的電子輻射、紫外線及遠(yuǎn)紅外線。因此,銦錫氧化物通常噴涂在玻璃、塑料及電子顯示屏上,用作透明導(dǎo)電薄膜,同時(shí)減少對人體有害的電子輻射及紫外、紅外。

在氧化物導(dǎo)電膜中,以摻Sn的In2O3(ITO)膜的透過率zui高和導(dǎo)電性能*,而且容易在酸液中蝕刻出細(xì)微的圖形,其中透光率達(dá)90%以上。ITO中其透光率和阻值分別由In2O3與SnO2之比例來控制,通常SnO2:In2O3=1:9。因?yàn)檠趸a之厚度超過200-時(shí),通常透明度已不夠好---雖然導(dǎo)電性能很好

對導(dǎo)電漿料的要求,第yi是分散均勻性,如果漿料分散不均,有嚴(yán)重的團(tuán)聚現(xiàn)象,電池的電化學(xué)性能受到影響,如若導(dǎo)電劑分布不均勻,電極在充放電過程中,各處電導(dǎo)率不同會發(fā)生不同的電化學(xué)反應(yīng),負(fù)極處可能產(chǎn)生較復(fù)雜的  SEI膜,可逆容量減小,并伴有局部的過充過放現(xiàn)象或有可能會有鋰金屬析出,形成安全隱患;粘結(jié)劑分布不均,顆粒之間、顆粒與集流體之間粘結(jié)力出現(xiàn)過大過小的情況,過小部位電極內(nèi)阻大,甚至?xí)袅希瑉ui終影響整個(gè)電池容量的發(fā)揮。第二,漿料需要具有良好的沉降穩(wěn)定性和流變特性,滿足極片涂布工藝的要求,并得到厚度均一的涂層,要求電池極片眾心的厚度要和邊緣處的厚度盡量保持一致,這是導(dǎo)電漿料涂布工藝的難點(diǎn)。

研磨分散機(jī)是由膠體磨分散機(jī)組合而成的高科技產(chǎn)品。

級由具有精細(xì)度遞升的三級鋸齒突起和凹槽。定子可以無限制的被調(diào)整到所需要的轉(zhuǎn)子之間距離。在增強(qiáng)的流體湍流下。凹槽在每級口可以改變方向。
第二級由轉(zhuǎn)定子組成。分散頭的設(shè)計(jì)也很好的滿足不同粘度的物質(zhì)以及顆粒粒徑的需要。在線式的定子和轉(zhuǎn)子(乳化頭)和批次式機(jī)器的工作頭設(shè)計(jì)的不同主要是因?yàn)樵趯斔托缘囊蠓矫妫貏e要引起注意的是:在粗精度、中等精度、細(xì)精度和其他一些工作頭類型之間的區(qū)別不光是轉(zhuǎn)子齒的排列,還有一個(gè)很重要的區(qū)別是不同工作頭的幾何學(xué)征不一樣。狹槽寬度以及其他幾何學(xué)特征都能改變定子和轉(zhuǎn)子工作頭的不同功能。

以下為型號表供參考:

型號

標(biāo)準(zhǔn)流量

L/H

輸出轉(zhuǎn)速

rpm

標(biāo)準(zhǔn)線速度

m/s

馬達(dá)功率

KW

進(jìn)口尺寸

出口尺寸

XMD2000/4

400

18000

44

4

DN25

DN15

XMD2000/5

1500

10500

44

11

DN40

DN32

XMD2000/10

4000

7200

44

22

DN80

DN65

XMD2000/20

10000

4900

44

45

DN80

DN65

XMD2000/30

20000

2850

44

90

DN150

DN125

XMD2000/50

60000

1100

44

160

DN200

DN150

氧化銦錫光電應(yīng)用納米級分散機(jī)

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